我所现有人员90余人，其中高级职称者40余人，中级职称者近30人。全所设有6个研究室，主要在以下六个研究方向开展研究工作：
　　（1） 微电子机械系统研究
　　（2） 超高速集成电路研究
　　（3） 异质结器件与电路研究
　　（4） ASIC设计研究
　　（5） 深亚微米和纳米器件及其物理问题研究
　　（6） 小尺寸器件物理及其可靠性的研究

　　北京大学微电子学研究所是我国硅栅 NMOS集成电路技术的发源地，七十年代在国内首先研制成功硅栅 N沟道 1024位动态随机存储器，为我国 MOS集成电路产业的发展作出了重大贡献。八十年代以来，我所一直承担多项国家重点科技攻关和国防科工委军事电子预研项目，取得了一批重要的科研成果。先后有二十项成果获得国家科技进步二等奖、国家发明三等奖、国家教委和电子工业部科技进步一、二、三等奖和光华科技基金一、三等奖；"六.五"、"七.五和八.五新工艺、新器件和新结构电路研究获得了国家二委（国家计委、国家科委）一部（财政部）科技攻关重大科技成果奖。多年来在国际会议以及国际国内一流学术刊物上发表论文300余篇，在工艺技术及测试仪器等方面共获5项专利（其中发明专利四项）。

　　在积极开展研究工作的同时，重视人才培养，我所每年招收40名本科生，10-16名硕士生，8-10名博士生，并接受4-6名博士后研究人员。教学与科研紧密结合是我们的特点。培养既有坚实的理论基础又掌握最新科学技术的跨世纪人才是我们的目标。在总结科研和教学工作的基础上，正式出版了15部教材和专著，其中一部获优秀教材国家教委全国特等奖，一部获全国优秀图书二等奖，一部获优秀教材国家教委二等奖。

　　目前，我所建有一个国家级重点实验室、一个国家级科技专项实验室和一个北京高技术重点实验室，即微米/纳米加工技术国家重点实验室、北方微电子研究开发基地新工艺新器件新结构电路实验室和北京市软件固化高科技重点实验室。工艺实验室总面积900m2，其中十级超净室40 m2，百级60 m2，拥有80余台先进的工艺加工及检测设备。可加工CMOS电路、硅双极电路、SOI/CMOS电路、化合物半导体器件和微电子机械系统等器件与电路。另还建有一个CAE实验室，拥有多台工作站和有关电路设计软件，面积300 m2。

　　我所十分重视国际学术交流与技术合作。每年都有许多海外专家来我所进行学术交流活动，同时我们也派出教师到海外进修、参加学术会议或工作。目前，已先后与美国加州大学伯克利分校、日本东京工业大学、美国ADI公司、美国摩托罗拉公司、日本Innoteck公司、香港科技大学等单位建立了合作关系。著名华裔科学家葛守仁（美国国家工程科学院院士）、胡正明（美国国家工程科学院院士）、高秉强、朱剑豪是我所的名誉教授或兼职教授，并设立了胡正明和朱剑豪奖学金。通过国际学术交流的技术合作，我所在国际微电子界已享有一定声誉。
北京大学微电子学研究所正以坚实的步伐向世界高科技领域迈进，愿与国内、外建立多种形式的科学技术与经济合作关系。