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北京大学微电子学研究所
研究方向 微电子机械系统的设计和研制。目前重点进行微陀螺、微加速度计等MEMS器件的研制。 研究内容 MEMS结构设计方法和力学电学性能模拟，建立相应的设计与模拟手段，研究MEMS结构与信号处理电路的综合设计方法。 研究开发硅微电子机械系统的加工技术，包括： · 硅/硅、硅/玻璃键和技术 · 高深宽比的硅深槽刻蚀技术 · 硅表面微机械加工技术 · 硅的各项异性、各项同性化学腐蚀技术 · 研究微机械结构和CMOS兼容的MEMS系统加工技术 用于形成MEMS结构的材料性能 高温半导体（GaN、SiC）器件
研究方向 主要从事硅超高速集成电路新工艺新器件和新结构电路研究和难熔金属氮化物砷化镓电路研究。 研究内容 多晶硅发射极微波分频器技术研究 全温区RCA双极晶体管及其在集成电路中的应用研究 硅高速集成电路研究 研究成果 多晶硅发射极超高速双极集成电路研究 难熔金属氮化物栅技术研究 难熔金属氮化物及其砷化镓肖特基势垒特性研究 功率晶体管背面金属化 低温低hFE温度系数的新型晶体管研究 多晶硅发射极技术研究 多晶硅发射极RCA器件特性研究 功率肖特基二极管 硅的深槽刻蚀方法（专利）ZL92103289.7 离子注入局部补偿集电区的方法（专利）ZL93102116.2 硅器件芯片背面银系溅射金属化（专利）ZL89109303.6
研究方向 SOI器件、电路研制 器件、电路模拟开发 新型SOI材料、新结构SOI器件（栅控混合管等）的研究 研究内容 开发全耗尽CMOS/SOI电路制备工艺 研制薄膜全耗尽CMOS/SOI专用集成电路 开发亚微米、深亚微米SOI器件电路模型及模拟 进行CMOS/SOI器件抗辐照特性研究 利用双异质外延和Smart Cut等技术研制新型SOI材料 研制新结构SOI器件 研究成果 开发出准1.0μm全耗尽CMOS/SOI电路制备工艺 研制的19级CMOS/SOI环振单机门延迟时间仅为230ps 研制的CMOS/SOI门阵列已用于弹上控制计算机中 用我们自己建立的器件模型开发的SOI电路模拟软件已销往香港，被认为具有良好的人机界面和计算效率 研制的抗辐照CMOS/SOI电路的抗辐照能力达5╳105rad（Si） 研制出栅控混合管
研究方向 ASIC设计方法学--基于VHDL高层级行为描述 微处理器嵌入的ASIC设计 可剪裁微处理器核的设计 单元/模块电路库的建立 研究内容 微处理器体系结构的优化设计 ASIC层级及模块划分 低电压低功耗集成电路设计研究 微处理器模块的设计研究--具有IP价值 数字信息加解密技术及其VLSI实现 研究成果 小型通讯加密电路获光华安泰奖 防病毒ASIC获光华安泰奖 基于SC的BBL设计方法94'12成果参展 二人分获"八五"奖和青年科技光华奖 Viterbi译码电路、NCO ASIC为国内领先
研究方向 半导体新材料、新结构 深亚微米/纳米硅器件物理 平面显示技术的研究 高温超导体在微电子技术中的应用 研究内容 GeSi/Si材料制备，GeSi/Si异质结器件物理、结构、工艺 深亚微米/纳米硅器件物理、模型及各种非本征参数对器件性能的影响 非晶硅和多晶硅有源矩阵液晶显示屏的设计、制造 集成电路中高温超导互联合高温超导MCM工艺和物理 研究成果 研制出用于非晶硅有源矩阵液晶显示屏和外围专用驱动电路 高温超导薄膜在微电子技术中的应用
研究方向 小尺寸MOSFET器件物理及其可靠性 绝缘介质及半导体薄膜材料、Si/SiO2界面的物理性能及其可靠性 半导体器件、材料陷阱参数表征方法与技术 研究内容 小尺寸MOS器件输运机制 Fowler-Nordheim热电子效应 短沟道热电子效应 Flash Memory FN 栅电压摆幅（Fowler-Nordheim Swing of an Flash Memory） 薄栅绝缘层弛豫电导及击穿机理 FN电流参与下的反型层少子产生速率方程及其动力学 脉冲MOS系统和非线性Zerbst现象 界面等离子体 时间相关及电子流量密度相关弛豫谱的同步效应 小尺寸MOSFET器件及薄栅绝缘介质材料寿命预测 半导体器件、材料陷阱参数的表征方法与技术 研究成果 国家二委一部颁发的"八五"科技攻关优秀成果奖 电子部电子工业成果二等奖 国家教委科技进步二等奖 1990年提出的"ULSI/VLSI MOS结构陷阱电荷弛豫谱"获得当年的国家发明三等奖和国家发明专利、实用新型专利 开拓和发展了有限差值技术的研究与应用，形成了对MOS结构高场诱生陷阱电荷性质进行分析的配套测试技术 北京大学微电子学研究所 地址：北京大学微电子学研究所 邮编：100871 传真：62753128 电话：62758719 E-mail： |
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